晶振
晶振起振条件
补充：并联电阻不能太小，串联电阻不能太大。否则，在温度较低的情况下不易起振 1MΩ电阻适用于以下问题： 当发生程序启动慢或不运行时，建议给晶振并联1MΩ的电阻 在低温环境下振荡电路阻抗也会发生变化，当阻抗增加到一定程度时，晶振就会发生起振困难或不起振现象。这时，我们也需要给晶振并联1MΩ电阻
晶振参数以及匹配电容的计算
负载电容
\[C_{L}\cong\frac{C_{G}*C_{D}}{C_{G}+C_{D}}+C_{S}\]
即负载电容跟晶体振荡电路输入管脚到GND的总电容CG 、晶体振荡电路输出管脚到GND的总电容CD以及晶体本身的并联电容CS有关。
我们知道晶体振荡电路输入管脚到GND的总电容一般由以下几部分组成，即： 1. 需要外加晶振的单片机或其他IC管脚到GND之间的寄生电容Ci； 2. 振荡输入端OSC_IN的PCB走线到GND之间的寄生电容Cpcb1； 3. 电路上额外需要增加的并联到GND的外匹配电容 CL1
\[C_{G}=C_{i}+C_{PCB1}+C_{L1}\] 同样的，晶体振荡电路输出管脚到GND的总电容一般由以下几部分组成，即: 1. 需要外加晶振的单片机或者其他IC管脚到GND之间的寄生电容 Co 2. 振荡输出端OSC_OUT的PCB走线到GND之间的寄生电容Cpcb2 3. 电路上额外需要增加的并联到GND的外匹配电容 CL2