晶振
总结 note: 并联电阻不能太小，串联电阻不能太大。否则，在温度较低的情况下不易起振, 1MΩ电阻适用于以下问题： 当发生程序启动慢或不运行时，建议给晶振并联 1MΩ的电阻 在低温环境下振荡电路阻抗也会发生变化，当阻抗增加到一定程度时，晶振就会发生起振困难或不起振现象。这时，我们也需要给晶振并联 1MΩ电阻 晶振参数以及匹配电容的计算 负载电容 CL≅CG∗CDCG+CD+CSC_{L}\cong\frac{C_{G}*C_{D}}{C_{G}+C_{D}}+C_{S} CL≅CG+CDCG∗CD+CS 即负载电容跟晶体振荡电路输入管脚到 GND 的总电容 CG 、晶体振荡电路输出管脚到 GND 的总电容 CD 以及晶体本身的并联电容 CS 有关。 我们知道晶体振荡电路输入管脚到 GND 的总电容一般由以下几部分组成： 需要外加晶振的单片机或其他 IC 管脚到 GND 之间的寄生电容 Ci； 振荡输入端 OSC_IN 的 PCB 走线到 GND 之间的寄生电容 Cpcb1C_{pcb1}Cpcb1； 电路上额外需要增加的并联到 GND 的外匹配电容...
